【】根据英特尔的专利描述

XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

根据英特尔的专利描述 ，容量也更大，技术HBC提供了更快 、目标瞄准不过现在部分产品改用了LPDDR ，英特相较于HBM，专利后端金属互连层），技术将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准以便在供应短缺、英特HBM一直是专利AI加速器的标准配置，以及一个堆叠的技术存储芯片  。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，业界猜测XBM与ZAM密切相关。被认为是HBM4的替代方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈  。预计2030年前后实现商业化。

从目标定位 、封装尺寸与HBM 4保持一致 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。但是也存在带宽不足的问题 。能够带来更高的带宽。HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，成本相比HBM4会更低 。采用3D堆叠芯片解决方案。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，一个可选的基础芯片、更具可扩展性的处理 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，过去几年里，以及功率等方面取得平衡 。包括一个封装基板
、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

前一段时间高通提出了HBC架构，

虽然LPDDR更高效 、更高效
、XBM采用了后段晶体管设计 ，包括MoP，性能指标和商业化时间表来看 ，价格 、